型号:NTJD1155LT1G | 类别:FET - 阵列 | 制造商:ON Semiconductor |
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 描述:MOSFET N+P 8V 1.3A SOT-363 |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N+P 8V 1.3A SOT-363 |
系列 | - |
制造商 | ON Semiconductor |
FET型 | N 和 P 沟道 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 8V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 1.3A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 175 毫欧 @ 1.2A,4.5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | - |
输入电容(Ciss)0a0Vds | - |
功率_最大 | 400mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商设备封装 | SOT-363 |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
深圳市宇明芯科技有限公司 | 李小姐0755-83051566 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
深圳市嘉万骏科技有限公司 | 林小姐0755*83682918 |
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